• 南宫NG·28

    开关电容充电芯片


    南宫NG·28的开关电容充电产品系列以支持2C-4C 电池快速充电功能而为广大客户熟知。南宫NG·28自主研发的双相充电拓扑结构在大电流充电的情况下实现极小的电压纹波。该产品系列具有四种不同的操作模式,分别是:正向 1:1(旁路)和2:1 CP、反向 1:2 CP 和 1:1(旁路),同时支持各种系统环境下的应用,可以与USB PD 适配器配合安全快速地为电池充电。

     

    产品型号 电池数量(#) 最小输入电压(V) 最大输入电压(V) 最小输出电压(V) 最大输出电压(V) 输入电压 AMR(V) 最大输出电流(A) 最大充电VBAT(V) 最小开关频率(kHz) 最大开关频率(kHz) 静态电流(典型值)(uA) 模式( (CP: 电荷泵模式) 关键特性 封装方式
    1, 2
    5
    22
    5
    10
    26
    5
    11
    200
    1000
    10
    2:1 CP FWD/ REV
    Bypass FWD/ REV
    Automatic Transition
    Between CP and BP
    WLCSP-36
    1
    3
    12
    3
    5
    20
    8
    5
    187
    750
    10
    2:1 CP FWD
    Bypass FWD
    10 Bit ADC,
    VBAT/IBAT Regulations
    WLCSP-56
    1
    3
    12
    3
    5.5
    20
    8
    4.75
    500
    1600
    5
    2:1 CP FWD
    10 Bit ADC,
    VBAT/IIN/IBAT Regulations
    WLCSP-42
    1
    3
    12
    3
    5.5
    20
    6
    4.6
    500
    1600
    5
    2:1 CP FWD
    1:2 REV CP
    10 Bit ADC,
    VBAT/IIN/IBAT Regulations
    WLCSP-42
    1
    3
    12
    3
    5.5
    20
    8
    5
    187
    750
    8
    2:1 CP FWD
    Bypass FWD
    12 Bit ADC,
    VBAT/IBAT Regulations
    WLCSP-36
    1
    3
    12
    3
    5.5
    20
    7.5
    4.6
    500
    1600
    6
    2:1 CP FWD
    Bypass FWD
    12 Bit 7 Channels ADC, VBAT/IIN/IBAT Regulations, External OVP FET control
    WLCSP-36
    1
    3
    12
    3
    5.5
    20
    7
    4.6
    500
    1600
    5
    2:1 CP FWD
    Bypass FWD
    12 Bit ADC,
    VBAT/IIN/IBAT Regulations
    WLCSP-36
    1
    3
    12
    3
    5.5
    20
    7
    4.6
    500
    1600
    5
    2:1 CP FWD
    Bypass FWD
    12 Bit ADC,
    VBAT/IIN/IBAT Regulations
    WLCSP-36

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